过均衡算法对存储单元的管理，就可以使寿命被大大的提高。

闪存完全擦写一次叫做1次p/e，因此闪存的寿命就以p/e作单位。例如，34nm的闪存芯片寿命约是5000次p/e，而25nm的寿命约是300>

通过均衡算法对存储单元的管理，就可以减少不必要的写入量；比如后世一块120g的固态硬盘，要写入120g的文件才算做一次p/e。普通用户正常使用，即使每天写入50g，平均2天完成一次p/e，3000个p/e能用20年，到那时候，固态硬盘早就被替换成更先进的设备了。

所以在固态硬盘中，指控芯片是一个关键性的指标，它是固态硬盘的大脑，其作用，一是合理调配数据在各个闪存芯片上的负荷；二则是承担了整个数据中转，连接闪存芯片和外部sata接口。不同的主控之间能力相差非常大，在数据处理能力、算法上，对闪存芯片的读取写入控制上会有非常大的不同，直接会导致固态硬盘产品在性能上产生很大的差距。

总之，好的主控芯片不但能大大够提高数据的读写速度、减少数据读写的错误，更能够使固态硬盘的使用寿命和容量空间大大的增加，反之，固态硬盘读写慢不说，数据读写错误也多，使用寿命也短。

另外，缓存也能大大提高固态硬盘的性能，在后世的市面上有一些廉价固态硬盘方案为了节省成本，省去了这块缓存芯片，这对硬盘的性能会产生很大的影响。

在尼恩的发来的报告中，固态硬盘是要作为刀片服务器的硬盘来用的，对它的稳定性和可靠性要求极高，所以这块固态硬盘他使用了2块缓存芯片，来提高硬盘的性能和数据读写的准确度；另外尼恩打算再次的优化和提高数据的算法，好让主控芯片的性能变得更加优秀，一块主控芯片完全够用，不需要在另外增加。

单颗nandflash闪存芯片的容量有2m，使用的是9微米制程工艺技术，不过尼恩找到一种新方法，可以在同等的微米制程工艺技术上来提高闪存颗粒的密度，来大大提高闪存芯片的容量。

尼恩这份报告，到让凌世哲想起了后世三星和东芝的固态硬盘容量之争；当时东芝公司的固态硬盘用的nandflash闪存芯片使用的是90纳米工艺，而三星却用的是74纳米制程工艺来生产nandflash闪存芯片，这让东芝公司在固态硬盘的竞争中处于绝对劣势；如果要把90纳米的芯片生产线升级成74纳米生产线，除了花费不菲的经费以为，时间上也肯定来不及，怎么办？

在这个时候，东芝的一名科学家小岛一夫，提出采用增加闪存颗粒密度来增加容量的办法，这个提议整个东芝公司上下根本就不相信，小岛一夫的提议没有被采纳不说，还遭到了极其严厉的谴责。

要知道，当时提高闪存芯片容量的办法只有一种，那就是提高芯片的工艺制程，比如从90纳米提高到74纳米，这是最有效的办法，总之，闪存芯片的工艺制程度越高，容量就越大是当时的真理。

但年轻的小岛一夫不这么看，他认为提高闪存工艺制造度固然能提高闪存芯片的容量，但它并不是唯一的，在同等的制程工艺下，提高闪存颗粒的密度，一样能够提高闪存的容量。

高层的谴责让小岛一夫在公司中举步维艰，每天都要面对周围同事的嘲笑，人生陷入低估。

小岛一夫并没有气馁，对周围同事异样的目光和嘲弄完全不顾，反而对闪存芯片展开了更加深入的研究。为了洗刷耻辱，他废寝忘食，连吃住都在实验室，终于在三个月后，小岛一夫成功的在90纳米工艺的闪存芯片上成功实现了高密度的闪存

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